Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 28

Wokół strony 14% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.4 16

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.5 12.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 19200

Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2925 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns