RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link