Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 56

Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.5 10.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2925 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns