RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link