RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2285
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link