RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link