RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link