RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link