RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,254.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
53
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,753.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,254.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
776
3625
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link