RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3564
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link