RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3085
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link