RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
4052
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link