RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
3419
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link