RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3402
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link