RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3026
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link