Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 44
    Wokół strony -47% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 13
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.7 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 12800
    Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.0 left arrow 14.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 10.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2069 left arrow 2935
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania