Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 44
    Rund um -47% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 13
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.7 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 12800
    Rund um 1.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 14.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 10.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2069 left arrow 2935
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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