Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 44
    En -47% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.7 left arrow 13
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.7 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 12800
    En 1.83 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.0 left arrow 14.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 10.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2069 left arrow 2935
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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