RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2472
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link