RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
42
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2181
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link