RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3786
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link