RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3814
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link