RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3814
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link