RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2554
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link