RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
2894
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link