Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 55
    Около 53% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    14.4 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 55
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.4 left arrow 14.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1678 left arrow 2894
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения