Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 55
    Por volta de 53% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.4 left arrow 7.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 55
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.4 left arrow 14.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1678 left arrow 2894
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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