RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
52
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2374
2236
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link