RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
52
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2374
2236
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link