RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3119
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link