RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3119
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link