RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2708
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link