RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3018
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link