RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2808
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link