RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2808
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link