RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3025
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link