RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2854
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link