RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3023
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link