RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
65
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
65
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1921
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link