RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
64
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3704
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link