RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2532
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link