RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3029
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link