RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2037
2534
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link