RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2654
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link