RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
71
Wokół strony -274% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3355
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link