RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
71
Около -274% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3355
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link