RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3004
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link