RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3004
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link