RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2833
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link