RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
1817
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link